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पी-चैनल लॉजिक लेवल MOSFET
बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन के लिए उन्नत कम वोल्टेज पावर ट्रेंच प्रक्रिया।
- ड्रेन-सोर्स वोल्टेज: -20V
- गेट-सोर्स वोल्टेज: ±8V
- ड्रेन करंट – निरंतर: -2A
- ड्रेन करंट – स्पंदित: -10A
- अधिकतम शक्ति अपव्यय: 0.5-0.46W
- संचालन और भंडारण जंक्शन तापमान सीमा: -55 से +150°C
- पैकेज में शामिल हैं: 1 x FDN340P MOSFET - (SMD SOT-23 पैकेज) - 20V 2A P-चैनल लॉजिक लेवल MOSFET
विशेषताएँ:
- 1.6 A, -20 V RDS(ON) = 70 m? @ VGS = -4.5V
- आरडीएस(चालू) = 110 मीटर? @ वीजीएस = -2.5V
- कम गेट चार्ज (7.2nC विशिष्ट)
- अत्यंत कम RDS(ON) के लिए उच्च प्रदर्शन ट्रेंच प्रौद्योगिकी
यह पी-चैनल लॉजिक लेवल MOSFET एक उन्नत निम्न वोल्टेज पावर ट्रेंच प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया है, जो बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन के लिए कम गेट चार्ज बनाए रखते हुए ऑन-स्टेट प्रतिरोध को न्यूनतम करने के लिए अनुकूलित है। लोड स्विचिंग, पावर प्रबंधन, बैटरी चार्जिंग सर्किट और डीसी-डीसी रूपांतरण जैसे पोर्टेबल इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों के लिए आदर्श।
अनुप्रयोग:
- बैटरी प्रबंधन
- लोड स्विच
- बैटरी सुरक्षा
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चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।