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एन-चैनल 2.5V निर्दिष्ट MOSFET
कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध के साथ उन्नत पावर ट्रेंच MOSFET
- ड्रेन-सोर्स वोल्टेज: 20V
- गेट-सोर्स वोल्टेज: ±8V
- ड्रेन करंट – निरंतर: 3A
- ड्रेन करंट - स्पंदित: 20A
- अधिकतम शक्ति अपव्यय: 0.5-0.46W
- संचालन और भंडारण जंक्शन तापमान सीमा: -55 से +150°C
- पैकेज में शामिल हैं: 1 x FDN339N MOSFET - (SMD SOT-23 पैकेज) - 20V 3A N-चैनल MOSFET
शीर्ष विशेषताएं:
- 3ए, 20वी
- आरडीएस(चालू) = 0.035? @ वीजीएस = 4.5V
- आरडीएस(चालू) = 0.050? @ वीजीएस = 2.5V
- निम्न गेट चार्ज (7nC विशिष्ट)
इस एन-चैनल MOSFET को उन्नत पावर ट्रेंच तकनीक का उपयोग करके डिज़ाइन किया गया है ताकि ऑन-स्टेट प्रतिरोध को कम किया जा सके और बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन के लिए गेट चार्ज को कम रखा जा सके। इसमें उच्च शक्ति और धारा प्रबंधन क्षमता है, जो इसे DC/DC कन्वर्टर्स और लोड स्विच जैसे अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती है।
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चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।