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पी-चैनल 2.6V निर्दिष्ट MOSFET
बैटरी पावर प्रबंधन के लिए उन्नत निम्न वोल्टेज पावर ट्रेंच प्रक्रिया MOSFET
- ड्रेन-सोर्स वोल्टेज: -12V
- गेट-सोर्स वोल्टेज: ±8V
- ड्रेन करंट – निरंतर: -2.6A
- ड्रेन करंट – स्पंदित: -10A
- अधिकतम शक्ति अपव्यय: 0.5-0.46W
- संचालन और भंडारण जंक्शन तापमान सीमा: -55 से +150°C
- पैकेज में शामिल हैं: 1 x FDN306P MOSFET - (SMD SOT-23 पैकेज) - 12V 2.6A P-चैनल MOSFET
विशेषताएँ:
- 2.4 ए, -20 वी
- आरडीएस(चालू) = 40 मीटर? @ वीजीएस = -4.5V
- आरडीएस(चालू) = 50 मीटर? @ वीजीएस = -2.5V
- आरडीएस(चालू) = 80 मीटर? @ वीजीएस = -1.8V
यह पी-चैनल MOSFET उन्नत निम्न-वोल्टेज पावर ट्रेंच प्रक्रिया का उपयोग करता है, जो बैटरी पावर प्रबंधन अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित है। यह अत्यंत कम RDS(ON) के लिए तेज़ स्विचिंग गति और उच्च-प्रदर्शन ट्रेंच तकनीक प्रदान करता है। सुपर SOT-23, समान फ़ुटप्रिंट में SOT23 की तुलना में कम RDS(ON) और 30% अधिक पावर हैंडलिंग क्षमता प्रदान करता है। ये उपकरण Pb-मुक्त, हैलोजन-मुक्त/BFR-मुक्त, और RoHS अनुपालक हैं।
अनुप्रयोगों में बैटरी प्रबंधन, लोड स्विच और बैटरी सुरक्षा शामिल हैं।
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चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।