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DG508 IC - CMOS एनालॉग मल्टीप्लेक्सर IC

DG508 IC - CMOS एनालॉग मल्टीप्लेक्सर IC

नियमित रूप से मूल्य Rs. 687.50
विक्रय कीमत Rs. 687.50
नियमित रूप से मूल्य Rs. 706.00 3% off
बिक्री बिक गया
शिपिंग की गणना चेकआउट पर की जाती है।

DG508 एनालॉग मल्टीप्लेक्सर

ब्रेक-बिफोर-मेक स्विचिंग क्रिया वाला 8-चैनल सिंगल-एंडेड मल्टीप्लेक्सर

  • संचालन: एकल या दोहरी विद्युत आपूर्ति
  • वोल्टेज स्विंग: V+ से V- एनालॉग सिग्नल स्विंग रेंज
  • पावर सप्लाई अधिकतम रेटिंग: 44 V
  • तापमान सीमा: -40°C से +125°C

DG508 एक 8-चैनल सिंगल-एंडेड एनालॉग मल्टीप्लेक्सर है जिसे आठ इनपुट में से एक को 3-बिट बाइनरी एड्रेस (A0, A1, A2) द्वारा निर्धारित एक सामान्य आउटपुट से जोड़ने के लिए डिज़ाइन किया गया है। ब्रेक-बिफोर-मेक स्विचिंग क्रिया आसन्न चैनलों के बीच क्षणिक क्रॉस-टॉक से सुरक्षा प्रदान करती है। एक ऑन चैनल दोनों दिशाओं में समान रूप से धारा का संचालन करता है। बंद अवस्था में, प्रत्येक चैनल विद्युत आपूर्ति रेल तक वोल्टेज को अवरुद्ध करता है। एक सक्षम (EN) फ़ंक्शन उपयोगकर्ता को कई उपकरणों को एक साथ जोड़ने के लिए मल्टीप्लेक्सर/डिमल्टीप्लेक्सर के सभी स्विच को बंद करने की अनुमति देता है। सभी नियंत्रण इनपुट, एड्रेस (AX), और सक्षम (EN) पूर्ण निर्दिष्ट ऑपरेटिंग तापमान सीमा पर TTL संगत हैं।

DG508B को उन्नत SG-II CMOS प्रक्रिया पर निर्मित किया गया है जो कम चार्ज इंजेक्शन, कम डिवाइस लीकेज और न्यूनतम परजीवी धारिता के साथ बेहतर प्रदर्शन प्राप्त करता है। उद्योग में इसका एक लंबा इतिहास रहा है और विभिन्न आपूर्तिकर्ता इसकी प्रतियां और बेहतर संस्करण प्रदान करते रहे हैं। इसके अनुप्रयोगों में उच्च गति और उच्च परिशुद्धता डेटा अधिग्रहण, ऑडियो सिग्नल स्विचिंग और रूटिंग, ATE सिस्टम और एवियोनिक्स शामिल हैं। DG508B बैटरी चालित और दूरस्थ उपकरण अनुप्रयोगों के लिए भी उपयुक्त है। इसकी पूर्ण अधिकतम वोल्टेज रेटिंग 44 V तक बढ़ाई गई है और एकल आपूर्ति संचालन की अनुमति है। एक एपिटैक्सियल परत लैच-अप को रोकती है।

DG508B 16-लीड SOIC, TSSOP, PDIP, और मिनी QFN (1.8 मिमी x 2.6 मिमी) पैकेज विकल्पों में -40°C से +125°C की विस्तारित तापमान सीमा के साथ उपलब्ध है।

विशेष विवरण:

  • V- से संदर्भित वोल्टेज: V+: 44 V, GND: 25 V
  • डिजिटल इनपुट a, VS, VD (V-): -2 से (V+) + 2 V या 20 mA
  • धारा (कोई भी टर्मिनल): 30 mA
  • शीर्ष धारा, S या D: 100 mA (1 ms पर स्पंदित, 10% ड्यूटी चक्र अधिकतम)
  • भंडारण तापमान: -65 से +150°C
  • शक्ति अपव्यय: 510 mW
  • थर्मल प्रतिरोध (?JA): 159.6 °C/W

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