CD74HC670 हाई स्पीड CMOS लॉजिक 4-बाय-4 रजिस्टर IC
एक साथ पढ़ने और लिखने की क्षमता वाली 16-बिट रजिस्टर फ़ाइल
- डीसी आपूर्ति वोल्टेज: -0.5V से 7V
- डीसी इनपुट डायोड करंट: +20 mA
- डीसी आउटपुट डायोड करंट: +20 mA
- डीसी ड्रेन करंट, प्रति आउटपुट: +35 mA
- डीसी आउटपुट स्रोत या सिंक करंट प्रति आउटपुट पिन: +25 mA
- डीसी वीसीसी या ग्राउंड करंट: +50 mA
- तापमान सीमा: -55°C से 125°C
- पैकेज में शामिल हैं: 1 X CD74HC670 हाई स्पीड CMOS लॉजिक 4-बाय-4 रजिस्टर IC (74670 IC) DIP-16 पैकेज
शीर्ष विशेषताएं:
- एक साथ और स्वतंत्र पढ़ने और लिखने के संचालन
- 512 शब्दों के n-बिट्स तक विस्तार योग्य
- तीन-राज्य आउटपुट
- 4 शब्द x 4 बिट चौड़ाई के रूप में व्यवस्थित
CD74HC670 और CD74HCT670 16-बिट रजिस्टर फ़ाइलें हैं, जो 4 शब्द x 4 बिट के आकार में व्यवस्थित हैं। रीड और राइट एड्रेस और इनेबल इनपुट एक स्थान पर लिखते समय दूसरे स्थान को पढ़ते हुए एक साथ लिखने की सुविधा देते हैं। 4-बिट शब्द को संग्रहीत करने के लिए चार डेटा इनपुट दिए गए हैं।
लेखन पता इनपुट (WA0 और WA1) रजिस्टर में संग्रहीत शब्द का स्थान निर्धारित करते हैं। जब लेखन सक्षम (WE) कम होता है, तो शब्द पता स्थान में दर्ज हो जाता है और डेटा के लिए पारदर्शी रहता है। आउटपुट इनपुट डेटा के वास्तविक रूप को दर्शाएगा। जब (WE) अधिक होता है, तो डेटा और पता इनपुट बाधित हो जाते हैं।
चार रजिस्टरों से डेटा प्राप्त करना रीड एड्रेस इनपुट (RA1 और RA0) द्वारा संभव होता है। रीड इनेबल (RE) कम होने पर एड्रेस किया गया शब्द आउटपुट पर दिखाई देता है। जब (RE) उच्च होता है, तो आउटपुट उच्च प्रतिबाधा अवस्था में होता है। आउटपुट को एक साथ जोड़कर शब्द क्षमता को 512 x 4 बिट तक बढ़ाया जा सकता है।
बफर्ड इनपुट। 'HC670' के लिए विशिष्ट रीड टाइम = 16ns, VCC = 5V, CL = 15pF, TA = 25oC। फैनआउट (तापमान सीमा से अधिक) - मानक आउटपुट: 10 LSTTL लोड - बस ड्राइवर आउटपुट: 15 LSTTL लोड। विस्तृत ऑपरेटिंग तापमान सीमा: -55oC से 125oC। संतुलित प्रसार विलंब और संक्रमण समय। LSTTL लॉजिक IC की तुलना में उल्लेखनीय पावर रिडक्शन।
HC प्रकार - 2V से 6V संचालन - उच्च शोर प्रतिरक्षा: NIL = 30%, NIH = VCC का 30%, VCC = 5V पर। HCT प्रकार - 4.5V से 5.5V संचालन - प्रत्यक्ष LSTTL इनपुट लॉजिक संगतता, VIL= 0.8V (अधिकतम), VIH = 2V (न्यूनतम) - CMOS इनपुट संगतता, VOL पर Il - 1µA, VOH।
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