×
बीएस170 उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी
बेहतर प्रदर्शन के लिए उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 60V
- निरंतर ड्रेन करंट (Id): 500mA
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 5Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- कॉन्फ़िगरेशन: एकल
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- शक्ति अपव्यय (पीडी): 350mW
शीर्ष विशेषताएं:
- कम ऑफसेट वोल्टेज
- पूर्ण-वोल्टेज संचालन
- बफर के बिना आसानी से चलाया जा सकता है
- कम त्रुटि वोल्टेज
BS170 उच्च वोल्टेज MOSFET परिवार की नई पीढ़ी है, जिसे स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह उत्कृष्ट कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज प्रदर्शन प्रदान करता है। BS170 में प्रयुक्त उन्नत तकनीक चालन हानि को कम करती है, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करती है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकती है। यह इसे सिस्टम लघुकरण और उच्च दक्षता आवश्यकताओं के लिए अत्यंत उपयुक्त बनाता है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।