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2एसके962
उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 900V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 8A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 2 ओम
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- कॉन्फ़िगरेशन: एकल
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55°C से 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 150W
शीर्ष विशेषताएं:
- उच्च गति स्विचिंग
- कम ऑन-प्रतिरोध
- कोई द्वितीयक विखंडन नहीं
- कम ड्राइविंग शक्ति
2SK962 उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म वाला एक नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET है। यह उत्कृष्ट कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज परफॉर्मेंस प्रदान करता है। इसमें प्रयुक्त तकनीक चालन हानि को कम करती है, बेहतर स्विचिंग परफॉर्मेंस सुनिश्चित करती है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकती है। यह MOSFET सिस्टम के लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए स्विचिंग मोड ऑपरेशन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है।
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*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।