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2SK3878 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 900V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 9A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 1 ओम
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 30V
- गेट चार्ज (Qg): 60 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55°C से 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 150W
विशेषताएँ:
- कम नाली-स्रोत चालू प्रतिरोध
- उच्च अग्र स्थानांतरण प्रवेश
- कम रिसाव धारा
- संवर्द्धन मोड
2SK3878 उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म वाली उच्च वोल्टेज MOSFETs की नई पीढ़ी का हिस्सा है, जो बेहतरीन प्रदर्शन के लिए असाधारण रूप से कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज प्रदान करता है। यह तकनीक न्यूनतम चालन हानि, उन्नत स्विचिंग क्षमताओं और अत्यधिक dv/dt दरों और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा को संभालने की क्षमता के लिए अनुकूलित है। स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए आदर्श, जिससे सिस्टम का लघुकरण और बढ़ी हुई दक्षता प्राप्त होती है।
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* चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकते हैं।