×
2SK3569 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 600V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 10A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.54Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 30V
- गेट चार्ज (Qg): 42 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 45W
शीर्ष विशेषताएं:
- कम ड्रेन-स्रोत चालू प्रतिरोध
- उच्च अग्र स्थानांतरण प्रवेश
- कम रिसाव धारा
- संवर्द्धन मोड
2SK3569 उच्च वोल्टेज MOSFET की नई पीढ़ी है जो असाधारण कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज प्रदर्शन के लिए उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म का उपयोग करती है। चालन हानि को न्यूनतम करने, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करने और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा को झेलने के लिए अनुकूलित। सिस्टम के लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण के लिए उपयुक्त।
संबंधित दस्तावेज़: 2SK3569 MOSFET डेटाशीट
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।