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2SK2968 उच्च वोल्टेज MOSFET
बेहतर प्रदर्शन के लिए उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 900V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 10A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 1.25Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 30V
- गेट चार्ज (Qg): 70 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 150W
विशेषताएँ:
- कम ड्रेन-स्रोत चालू प्रतिरोध
- उच्च अग्र स्थानांतरण प्रवेश
- कम रिसाव धारा
- संवर्द्धन मोड
2SK2968 नई पीढ़ी के उच्च वोल्टेज MOSFET परिवार का एक हिस्सा है, जिसे असाधारण कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज प्रदर्शन के लिए उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म के साथ डिज़ाइन किया गया है। यह तकनीक चालन हानि को कम करती है, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करती है, और अत्यधिक dv/dt दरों और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा को संभाल सकती है, जिससे यह स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बन जाती है। यह सिस्टम को छोटा करने में सक्षम बनाती है और दक्षता बढ़ाती है।
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चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।