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2SK1118 उच्च वोल्टेज MOSFET
बेहतर प्रदर्शन के लिए उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 600V
- कलेक्टर करंट (आईसी): 6A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 1.25Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 3.5V
- कॉन्फ़िगरेशन: एकल
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 45W
विशेषताएँ:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- तेज़ स्विचिंग
- पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड
- सीसा मुक्त
2SK1118 उच्च वोल्टेज MOSFETs की नई पीढ़ी का एक हिस्सा है जो उत्कृष्ट निम्न ऑन-प्रतिरोध और निम्न गेट चार्ज प्रदर्शन प्राप्त करने के लिए एक उन्नत चार्ज बैलेंस तंत्र का उपयोग करता है। यह तकनीक चालन हानि को कम करती है, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करती है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकती है। यह स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण के लिए आदर्श है, जिससे सिस्टम का लघुकरण और उच्च दक्षता संभव होती है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।