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2एन7000
उच्च सेल घनत्व DMOS प्रौद्योगिकी के साथ एन-चैनल संवर्द्धन मोड क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 60V
- निरंतर ड्रेन करंट (Id): 200mA
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 5Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- कॉन्फ़िगरेशन: एकल
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- शक्ति अपव्यय (पीडी): 400mW
विशेषताएँ:
- निम्न RDS(ON) के लिए उच्च घनत्व सेल डिज़ाइन
- वोल्टेज नियंत्रित लघु सिग्नल स्विच
- मजबूत और विश्वसनीय
- उच्च संतृप्ति धारा क्षमता
2N7000 को ऑन-स्टेट प्रतिरोध को न्यूनतम रखते हुए मज़बूत, विश्वसनीय और तेज़ स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसका उपयोग 400 mA DC तक की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों में किया जा सकता है और यह 2A तक स्पंदित धाराएँ प्रदान कर सकता है। यह विशेष रूप से कम वोल्टेज, कम धारा वाले अनुप्रयोगों जैसे छोटे सर्वो मोटर नियंत्रण, पावर MOSFET गेट ड्राइवर और अन्य स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com या +91-8095406416 पर संपर्क करें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।